MOSFET管失效的常见的原因分析

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。要正确测试判断MOSFET是否失效，重要关键是要找到失效背后的原因，并避免再犯同样的错误，本文收集整理了一些资料，期望能对各位读者有比较大的参阅价值。

用万用表简单检测MOS管是否完好

测试MOS好坏用指针式万用表方便点，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V，红笔是负电位，黑笔是正电位。

测试步骤：

MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：

1）把红笔接到MOS的源*S上，黑笔接到MOS管的漏*上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

2）用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅*和源*上，然后把红笔接到MOS的源*S上，黑笔接到MOS管的漏*上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅*充电，产生栅*电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏*和源*导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

3）把连接栅*和源*的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。

4）然后一根导线把MOS管的栅*和源*连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。