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样品大小:根据样品大小选择寄样或上门
展现样式:电子版
检测周期:3-15个工作日(可加急)
检测项目:
低温测试,发射*-基*反向击穿电压V(BR)EBO,发射*-基*反向截止电流IEBO ,基*-发射*电压VBE,基*-发射*饱和电压VBE(sat),开关时间测试(td(on),tr,tf,td(off)),正向电流传输比HFE ,直流安全工作区,瞬态热阻Rth,稳态热阻Rja,Rjc,老炼试验,集电*-发射*击穿电压V(BR)CEO,集电*-发射*截止电流ICEO ICER ICEX ICES ,集电*-发射*截止电流ICEO ,集电*-发射*电压VCEO ,集电*-发射*饱和电压VCE(sat),集电*-基*反向击穿电压V(BR)CBO,集电*-基*反向截止电流ICBO,集电*-基*电压VCBO,高温反偏试验,高温测试
检测标准:
1、GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双*型晶体管 第Ⅳ章 第2节 第2条、第4条、第5条, 第1节 第3条、第7条、第9.6条
2、GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 3472
3、MIL-STD- 750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
4、GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分 双*型晶体管 GB/T4587-1994
5、MIL-STD-750F 半导体器件的试验方法 标准试验方法 3036.1、3071、3066.1、3041.1、3011.2、3076.1
检测流程步骤
1、电话沟通、确认需求;
2、推荐方案、确认报价;
3、邮寄样品、安排检测;
4、进度跟踪、结果反馈;
5、出具报告、售后服务;
6、如需加急、优先处理;